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该设备采用SATA 3.0接口规范，搭载三星V-NAND TLC闪存技术。配备8GB LPDDR4独立缓存，持续读写速度最高分别可达560MB/s与530MB/s，总写入寿命达到4800TB。
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据统计数据显示，相关领域的市场规模已达到了新的历史高点，年复合增长率保持在两位数水平。
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